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F-mount Packaged Semiconductor Laser
Laser Diodes

F-mount Packaged Semiconductor Laser

Supplier
Gedad
Category
Laser Diodes
Origin
China
Specification Snapshot
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]
Typical ：808 nm
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]
Typical ：2 A
Operating current Iop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]
Typical ：10 A
Operating voltage Vop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]
Typical ：1.8 V
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]
Typical ：808 nm
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]
Typical ：2.6 A
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Specifications

ParameterValue
Output Power Po [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：10 W
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：808 nm
Fast axis Divergence angle (95% Power) θ⊥ [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W；95% Power]Typical ：51 deg
Slow axis Divergence angle (95% Power) θ// [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W；95% Power]Typical ：10 deg
Electro-optical conversion efficiency PE [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：58 %
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：2 A
Operating current Iop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：10 A
Operating voltage Vop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：1.8 V
Slope efficiency η [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：10 W]Typical ：1.3 W/A
Output Power Po [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：15 W
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：808 nm
Fast axis Divergence angle (95% Power) θ⊥ [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W；95% Power]Typical ：51 deg
Slow axis Divergence angle (95% Power) θ// [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W；95% Power]Typical ：10 deg
Electro-optical conversion efficiency PE [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：58 %
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：2.6 A
Operating current Iop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：15 A
Operating voltage Vop [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：1.8 V
Slope efficiency η [25°C； Center wavelength ：808 nm； Output Power ：15 W]Typical ：1.3 W/A
Output Power Po [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：10 W
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：940 nm
Fast axis Divergence angle (95% Power) θ⊥ [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W；95% Power]Typical ：42 deg
Slow axis Divergence angle (95% Power) θ// [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W；95% Power]Typical ：8 deg
Electro-optical conversion efficiency PE [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：60 %
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：0.7 A
Operating current Iop [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：10 A
Operating voltage Vop [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：1.7 V
Slope efficiency η [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：10 W]Typical ：1.2 W/A
Output Power Po [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：15 W
Center wavelength λc [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：940 nm
Fast axis Divergence angle (95% Power) θ⊥ [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W；95% Power]Typical ：42 deg
Slow axis Divergence angle (95% Power) θ// [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W；95% Power]Typical ：8 deg
Electro-optical conversion efficiency PE [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：60 %
Threshold current Ith [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：1.25 A
Operating current Iop [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：15 A
Operating voltage Vop [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：1.7 V
Slope efficiency η [25°C； Center wavelength ：940 nm； Output Power ：15 W]Typical ：1.2 W/A
Storage temperature Tst [25°C]-20～85 °C
Product dimensions [25°C]12 mm × 26 mm × 2.5 mm

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Ge
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Wuxi Gedad Optoelectronic Technology Co., Ltd. is a high-tech enterprise focusing on the R&D, production and sales of strategic emerging industries such as compound semiconductor packaging, precision packaging equipment, and packaging materials. Through continuous R&D investment, the company has fully mastered core technologies in the packaging of GaN lasers, GaAs lasers, and InP lasers. With self-developed equipment and materials, it can provide various packaging forms and devices including single-tube COS, TO, Mount packaging, single Bar packaging, and fiber-coupled modules, as well as customized products. Products are widely used in information technology, display and lighting, life and health, lidar, material processing, optical communication, scientific research and other fields.

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